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一种电阻的制备方法 

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申请/专利权人:惠州市嵩隆力上电子有限公司

摘要:本发明属于数据采集、智能机器人技术领域,提出了一种电阻的制备方法,具体为:将电阻原材料均匀混合形成待烧结坯体,再将待烧结坯体进行预热,然后通过电场对待烧结坯体进行闪烧获得电阻片成品,采集闪烧过程中的电流密度分布图像,并当闪烧获得电阻片为电阻片次品,则根据电流密度分布图像计算低通回归度;最终结合低通回归度判断电阻片次品是否符合二次烧结处理要求。对电阻材料内部材料分布不均匀导致的的电导率变化引发的电阻片次品通常难以通过重新处理使得符合产品要求的问题进行解决,大大提升在通过闪烧技术进行压敏电阻片次品重复加工的生产效率和资源利用效率,从而降低由于对无效电阻片次品重复加工引起的资源浪费。

主权项:1.一种电阻的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:S100,将电阻原材料均匀混合形成待烧结坯体;S200,将待烧结坯体进行预热;S300,通过电场对待烧结坯体进行闪烧获得电阻片成品,采集闪烧过程中的电流密度分布图像;S301,当闪烧获得电阻片为电阻片次品,则根据电流密度分布图像计算低通回归度;S302,结合低通回归度判断电阻片次品是否符合二次烧结处理要求;其中S301中,根据电流密度分布图像计算低通回归度的方法是:根据电流密度分布图像的像素值比较获得低通标记点,并计算获得其低通相位,结合低通标记点的空间位置划分模糊通道,根据预设的迭代距离在模糊通道中迭代分配通道迭代域,根据通道迭代域的低通相位计算模糊偏异值,根据模糊偏异值计算模糊通道的偏异权重,根据像素闪烧过程中作为低通标记点的发生连续性定义低通事件,根据低通事件获取低通特征组,通过低通特征组计算低通回归度。

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