龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：南方科技大学
摘要：本发明公开了一种P沟道器件及其集成电路，所述P沟道器件由下至上依次设置有第一N型材料层，第二源极设置在第一N型材料层上；P型沟道层，P型沟道层设置在第一N型材料层上；P型沟道层上设有凹槽和第一源极，栅介质层位于凹槽的上方，第一栅极设置在栅介质层上；第二N型材料层，第二N型材料层位于P型沟道层上，第一漏极设置在第二N型材料层上。通过设置第一N型材料层、P型沟道层和第二N型材料层并构成P沟道器件，便于P沟道器件获得并维持P型工作逻辑，有效提高P沟道器件的电流密度，简化P沟道器件结构的同时也降低了P沟道器件的制备难度。
主权项：1.一种P沟道器件，其特征在于，包括:栅介质层、第一源极、第二源极、第一漏极和第一栅极；所述P沟道器件由下至上依次设置有：第一N型材料层，所述第二源极设置在所述第一N型材料层上；P型沟道层，所述P型沟道层设置在所述第一N型材料层上；所述P型沟道层上设有凹槽和所述第一源极，所述栅介质层位于所述凹槽的上方，所述第一栅极设置在所述栅介质层上；第二N型材料层，所述第二N型材料层位于所述P型沟道层上，所述第一漏极设置在所述第二N型材料层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南方科技大学 一种P沟道器件及其集成电路
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号