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申请/专利权人：珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
摘要：本申请公开了一种MOSFET器件及其制备方法，该器件包括至少一组第一栅沟槽结构和第二栅沟槽结构，第一栅沟槽结构和第二栅沟槽结构均包括栅氧层、承压层和栅极，承压层设置在栅极的第一侧面和底部，栅氧层设置在栅极的第二侧面，栅氧层分别与外延层、第一注入区和源区接触；还包括位于第一栅沟槽结构和第二栅沟槽结构之间的整流结构，整流结构包括连接部和外延区域，外延区域与连接部形成电学连接，外延区域为位于第一栅沟槽结构和第二栅沟槽结构之间且与第一承压层和第二承压层接触的外延层的一部分。采用MOSFET器件解决现有技术中体二极管的MOSFET器件导通特性发生退化导致半导体器件损坏和外接SBD增加成本的问题。
主权项：1.一种MOSFET器件，其特征在于，包括衬底以及在所述衬底上层叠设置的外延层、第一注入区和源区，所述MOSFET器件还包括：至少一组栅沟槽结构，所述栅沟槽结构依次贯穿所述源区和所述第一注入区并延伸至所述外延层中，各组所述栅沟槽结构包括第一栅沟槽结构和第二栅沟槽结构，其中，所述第一栅沟槽结构包括第一栅氧层、第一承压层和第一栅极，所述第一承压层设置在所述第一栅极的第一侧面和底部，所述第一栅氧层设置在所述第一栅极的与所述第一侧面相对的第二侧面，所述第二栅沟槽结构包括第二栅氧层、第二承压层和第二栅极，所述第二承压层设置在所述第二栅极的第三侧面和底部，所述第二栅氧层设置在所述第二栅极与所述第三侧面相对的第四侧面，所述第一栅氧层和所述第二栅氧层分别与所述外延层、所述第一注入区和所述源区接触；整流结构，所述整流结构位于所述第一栅沟槽结构和所述第二栅沟槽结构之间，所述整流结构包括连接部和外延区域，所述外延区域与所述连接部形成电学连接，所述外延区域为位于所述第一栅沟槽结构和所述第二栅沟槽结构之间且与所述第一承压层和所述第二承压层接触的所述外延层的一部分。
全文数据：
权利要求：
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