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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种用于写入存储器单元的方法，包括：施加编程电压到目标字线；将待写为第一电阻状态的存储器单元的位线接地；设置未选位线的位线电压；以及设置未选字线的字线电压；施加编程电压到目标位线；将待写为第二电阻状态的存储器单元的字线接地；如果最大电压压降的峰值大于或等于第二值，则将未选字线的字线电压设置为第一值；否则，将字线电压设置为零；以及如果最大电压压降的峰值大于或等于第二值，则将未选位线的位线电压设置为第三值；否则，将位线电压设置为零。
主权项：1.一种用于在包括与位线交叉的字线的非易失性存储器设备中写入存储器单元的方法，所述方法包括：在第一阶段：施加编程脉冲电压到目标字线；将待写为第一电阻状态的存储器单元的位线接地；设置未选位线的位线电压；以及设置未选字线的字线电压；在第二阶段：施加所述编程脉冲电压到目标位线；将待写为第二电阻状态的所述存储器单元的字线接地；如果不打算改变的存储器单元上的最大电压压降的峰值大于或等于第二值，则将所述未选字线的字线电压设置为第一值，并且如果所述最大电压压降的峰值小于所述第二值，则将所述字线电压设置为零；以及如果所述最大电压压降的峰值大于或等于所述第二值，则将所述未选位线的位线电压设置为第三值，并且如果所述最大电压压降的峰值小于所述第二值，则将所述位线电压设置为零。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 非易失性存储器设备的写入方法
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