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申请/专利权人：中山大学·深圳;中山大学
摘要：本发明公开了一种ZnO薄膜忆阻器及其制备方法，所述ZnO薄膜忆阻器的结构包括由下至上依次设置的底电极、功能层和顶电极层；所述底电极为NSTO衬底，所述功能层为ZnO薄膜，所述顶电极层为Au电极层。本发明的ZnO薄膜忆阻器性能优异，在‑0.5V的读取电压下能够保持7个数量级以上的超大开关比，器件稳定性高，在多级存储方面有较高应用潜力。
主权项：1.一种ZnO薄膜忆阻器，其特征在于，所述ZnO薄膜忆阻器的结构包括由下至上依次设置的底电极、功能层和顶电极层；所述底电极为NSTO衬底，所述功能层为ZnO薄膜，所述顶电极层为Au电极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学·深圳 中山大学 一种ZnO薄膜忆阻器及其制备方法
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