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申请/专利权人：北京航空航天大学
摘要：本发明提供了一种磁随机存储单元结构，所述磁随机存储单元由下至上分别包括：基底、SOT源层、自由层、势垒层、固定层、人工反铁磁钉扎层和顶电极层，所述SOT源层是无定形态钼层、或无定形态钼层与5d重金属层交替堆叠的结构、或无定形态钼与5d重金属材料所组成的合金层。本发明利用无定形态钼作为自旋流源层，其较大的电荷‑自旋转换效率和类场自旋轨道矩可以降低存储单元写入功耗。另外无定形态钼与上面的磁性层构建的异质结构界面磁各向异性可高达4.06mJm2，可以提高存储密度、热稳定性。且无定形态钼具有耐高温的优异特性，可承受高达500℃的高温热退火处理，具有芯片加工后道工艺的强兼容性。
主权项：1.一种磁随机存储单元结构，其特征在于，所述磁随机存储单元由下至上分别包括：基底、SOT源层、自由层、势垒层、固定层、人工反铁磁钉扎层和顶电极层，所述SOT源层是无定形态钼层、或无定形态钼层与5d重金属层交替堆叠的结构、或无定形态钼与5d重金属材料所组成的合金层。
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