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申请/专利权人：华邦电子股份有限公司
摘要：本发明实施例提供一种动态随机存取存储器及其形成方法，以解决相邻的堆叠式电容发生短路的问题。本发明的形成方法包括：形成电容接触垫于隔离层中；形成第一介电层于隔离层上；形成凹槽于电容接触垫上方的第一介电层中；顺应性地形成保护层于凹槽中；形成第二介电层于第一介电层上；形成穿过隔离层、第一介电层、保护层及第二介电层的沟槽以露出电容接触垫；侧向刻蚀第一介电层及第二介电层以扩大沟槽；以及顺应性地形成堆叠式电容的底电极层于沟槽中。
主权项：1.一种动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，包括：形成一电容接触垫于一隔离层中；形成一第一介电层于该隔离层上；形成一凹槽于该电容接触垫上方的该第一介电层中；顺应性地形成一保护层于该凹槽中；形成一第二介电层于该第一介电层上；形成穿过该隔离层、该第一介电层、该保护层及该第二介电层的一沟槽以露出该电容接触垫；侧向刻蚀该第一介电层及该第二介电层以扩大该沟槽；以及顺应性地形成一堆叠式电容的一底电极层于该沟槽中。
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百度查询： 华邦电子股份有限公司 动态随机存取存储器及其形成方法
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