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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供了一种半导体结构、其制备方法以及存储器。该半导体结构包括：第一栅极、第二栅极、第一栅介质层、第二栅介质层、半导体层、源极和漏极；第一栅极与第二栅极分别设置于半导体层的两侧，自第二栅极至第一栅极的方向上半导体层包括依次叠置的沟道层和阻挡层，沟道层和阻挡层中均包括含铟元素和镓元素的金属氧化物，且在金属氧化物的金属元素中，沟道层中的铟元素的原子占比高于阻挡层中的铟元素的原子占比。该结构的半导体层能够使得载流子被局限于迁移率较高的沟道层中运动，因此晶体管的载流子迁移率也能够得到有效提高。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一栅极、第二栅极、第一栅介质层、第二栅介质层、半导体层、源极和漏极；所述第一栅极与所述第二栅极分别设置于所述半导体层的两侧，所述第一栅介质层设置于所述第一栅极与所述半导体层之间，所述第二栅介质层设置于所述第二栅极与所述半导体层之间，自所述第二栅极至所述第一栅极的方向上所述半导体层包括依次叠置的沟道层和阻挡层，所述源极和所述漏极间隔设置且均电连接于所述沟道层；所述沟道层和所述阻挡层中均包括含铟元素和镓元素的金属氧化物，且在所述金属氧化物的金属元素中，所述沟道层中的铟元素的原子占比高于所述阻挡层中的铟元素的原子占比。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构、其制备方法及存储器
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