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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种具有高稳定性的低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法。本发明根据薄膜晶体管TFT版图的沟道设计，调整准分子激光退火ELA的扫描方向，使ELA的扫描方向与TFT沟道方向成特定角度；利用ELA特定的扫描方向，影响沟道中晶界的缺陷态密度，控制TFT沟道内部的晶界情况，获得了具有兼具良好直流特性和杰出稳定性的低温多晶硅薄膜晶体管。
主权项：1.一种具有高稳定性的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在基板表面生长缓冲层，；S2、在缓冲层表面蒸镀金属标记点用以标定低温多晶硅薄膜晶体管的沟道方向，在缓冲层表面生长非晶硅层，采用准分子激光退火将非晶硅层晶化为多晶硅薄膜，准分子激光退火的激光扫描方向与沟道方向的夹角为0°～90°；S3、去除多晶硅薄膜表面的自然氧化硅薄层，在多晶硅薄膜表面热氧化生长氧化硅薄膜作为第一介质层，在氧化硅薄膜表面生长第二介质层；S4、在第二介质层表面沉积栅电极；S5、图形化刻蚀栅电极、第二介质层和第一介质层，形成源、漏区域；S6、在源、漏区域的多晶硅薄膜上生长离子注入缓冲层，在源、漏区域的多晶硅薄膜中使用硼离子进行离子注入，注入结束后进行退火激活；S7、在源、漏区域的离子注入缓冲层上刻蚀源电极和漏电极的图案，沉积源电极和漏电极，获得低温多晶硅薄膜晶体管；S8、低温多晶硅薄膜晶体管进行高温后退火处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种具有高稳定性的低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法
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