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一种电容器件及电容器件的制造方法 

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申请/专利权人:武汉新芯集成电路股份有限公司

摘要:本申请公开了一种电容器件及电容器件的制造方法,包括:半导体基体、至少两层电极板层、复合绝缘层;至少两层电极板层,设置在半导体基体上,其中,第一电极板层设置在半导体基体上,第二电极板层设置在第一电极板层上;复合绝缘层设置在第一电极板层和第二电极板层之间,其中,复合绝缘层包括至少两层绝缘层和至少一层防击穿介质层。即本申请通过形成至少两层绝缘层和至少一层防击穿介质层构成的复合绝缘层,降低了绝缘层的等效厚度,进而有效提升电容器件的电容值,以提升后续产品的性能。

主权项:1.一种电容器件,其特征在于,包括:半导体基体;至少两层电极板层,设置在所述半导体基体上,其中,第一电极板层设置在所述半导体基体上,第二电极板层设置在所述第一电极板层上;复合绝缘层,设置在所述第一电极板层和所述第二电极板层之间,其中,所述复合绝缘层包括至少两层绝缘层和至少一层防击穿介质层。

全文数据:

权利要求:

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