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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：一种改善双极退化的碳化硅MOSFET器件及制备方法。涉及半导体技术领域。包括如下步骤：S100，在碳化硅衬底上外延生长形成碳化硅漂移层；S200，在碳化硅漂移层源区形成N+区；S300，在碳化硅漂移层形成PW区；S400，在PW区形成Spacer层，通过离子注入形成NP区；S500，在PW区形成PP区；S600，在碳化硅漂移层形成JFET区；S700，在碳化硅漂移层顶面形成栅氧层；S800，在栅氧层上通过沉积多晶硅形成Poly层，作为栅电极引出；S900，在Poly层上通过沉积形成与Poly层和NP区相接触的隔离介质层，隔绝栅极和源级，避免两处短接；本发明降低器件电阻，提高器件通流能力，降低了器件发生双极退化的可能性。
主权项：1.一种改善双极退化的碳化硅MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在碳化硅衬底（1）上外延生长形成碳化硅漂移层（2）；S200，在碳化硅漂移层（2）源区形成N+区（3）；S300，在碳化硅漂移层（2）形成PW区（4）；S400，在PW区（4）形成Spacer层，通过离子注入形成NP区（5）；S500，在PW区（4）形成PP区（6）；S600，在碳化硅漂移层（2）形成JFET区（7）；S700，在碳化硅漂移层（2）顶面形成栅氧层（8）；S800，在栅氧层（8）上通过沉积多晶硅形成Poly层（9），作为栅电极引出；S900，在Poly层（9）上通过沉积形成与Poly层（9）和NP区（5）相接触的隔离介质层（10），隔绝栅极和源级，避免两处短接；S1000，在碳化硅漂移层（2）上通过溅射形成与NP区（5）和PP区（6）相接触的欧姆金属层（11），并之后通过退火合金化，形成欧姆接触；S1100，在隔离介质层（10）和欧姆金属层（11）上通过溅射形成正面电极金属（12），作为源电极引出。
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