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申请/专利权人：菲沃泰纳米科技(深圳)有限公司
摘要：本发明涉及AF涂层的技术领域，公开了一种无损AF疏水涂层的制备方法，包括以下步骤：步骤一，将表面形成有AF膜的基材置于等离子体室的反应腔室内，抽真空至20‑250毫托，并通入惰性气体；步骤二，将单体1气化后，以蒸汽形式通入到反应腔室内，开启等离子体放电，沉积出疏水层；步骤三，关闭等离子体放电，通入洁净的压缩空气或者惰性气体，腔体恢复至常压，打开反应腔室，取出基材。通过本申请提供的镀膜方法所制备的膜层可以涂覆于手机等电子产品的各位置处，同时可以有效防止对AF涂层造成损伤，提高了使用寿命，外观正常。
主权项：1.一种无损AF疏水涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将表面形成有AF膜的基材置于等离子体室的反应腔室内，抽真空至20-250毫托，并通入惰性气体；步骤二，将单体1气化后，以蒸汽形式通入到反应腔室内，开启等离子体放电，采用低能量强度放电，在此条件下沉积出疏水层；步骤三，关闭等离子体放电，通入洁净的压缩空气或者惰性气体，腔体恢复至常压，打开反应腔室，取出基材；所述单体1的化学式如式1所示： 式1中，所述R1、R2和R3分别独立的选自于氢原子，卤素原子、C1-C10的烃基或C1-C10的卤原子取代烃基，x为0-2的整数，y为1-20的整数。
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权利要求：
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