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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：公开了用于形成半导体器件的方法。根据一些方面，在第一半导体结构的第一衬底上执行第一注入，以在第一衬底中形成掩埋停止层。形成第二半导体器件。将第一半导体结构和第二半导体器件键合。减薄所述第一衬底并去除所述掩埋停止层，并且在减薄的第一衬底上方形成互连层。
主权项：1.一种三维3D半导体器件，包括：第一半导体结构，包括第一器件层、掺杂半导体层和掩埋停止层；其中，所述掺杂半导体层位于所述第一器件层和所述掩埋停止层之间；以及所述掩埋停止层包括氧或碳。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于使用衬底中的掩埋停止层制造三维半导体器件的方法
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