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申请/专利权人：哈尔滨工业大学
摘要：一种针对芯片热点多级多模式快速解热的散热结构，涉及集成电路的集成化散热领域。为解决现有的散热结构针对芯片的封装外壳结构采用均匀散热的热管理方式，由于集成电路芯片中存在的热点分布不均匀、热点集中、局部热流密度高，从而导致散热效率低下，并且现有的散热结构集成度较低的问题。在热源端通过使散热结构直接与发热集成电路芯片集成的方式，大幅度降低芯片与散热结构之间的热阻，可以在减小散热结构体积的同时，提升散热效率，全面提高散热结构与芯片之间的集成度；采用点、面、相变的多级热传导模式，能够针对集成电路芯片的集中热点，实现等效换热面积的逐级增加，提高了散热效率。本发明适用于集成电路的集成化散热领域。
主权项：1.一种针对芯片热点多级多模式快速解热的散热结构，其特征在于：它包括集成式蒸发散热结构1和主动循环散热结构2；集成式蒸发散热结构1和主动循环散热结构2平行对称设置；所述的集成式蒸发散热结构1包括通孔导热层11、薄膜均热层12和蒸发相变层13；通孔导热层11的上表面设有薄膜均热层12，薄膜均热层12的上表面设有蒸发相变层13。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学 一种针对芯片热点多级多模式快速解热的散热结构
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