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申请/专利权人：华邦电子股份有限公司
摘要：本发明提供一种半导体存储器装置以及一种利用ZQ校准值补偿压摆率的方法，具有使用ZQ校准信号调整由具有不同工艺、电压、温度P、V、T特性的输出缓冲器，所产生的数据电压信号转换速率的能力。半导体存储器装置包括存储器、校准计数器、压摆率SlewRate，SR控制电路和输出级OutputBuffer。校准计数器接收ZQ校准信号并基于此信号产生SR校准信号。存储器耦接到压摆率控制电路。SR控制电路耦接到输出级和校准计数器，并配置用以接收来自校准计数器的SR校准信号。根据从存储器所读取的数据信号，输出级产生数据电压信号，并根据此SR校准信号对此数据电压信号进行压摆率控制。
主权项：1.一种半导体存储器装置,其特征在于,包括：存储器；校准计数器,接收ZQ校准信号,并根据所述ZQ校准信号产生压摆率校准信号；至压摆率控制电路,耦接所述校准计数器,用以接收来自所述校准计数器的所述压摆率校准信号以产生压摆率致能信号；和输出级,耦接所述存储器及所述压摆率控制电路,根据从所述存储器所读取的数据信号,产生数据电压信号,并根据所述压摆率致能信号对所述数据电压信号进行压摆率控制。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华邦电子股份有限公司 利用ZQ校准值补偿压摆率的半导体存储器装置及其方法
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