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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明提供一种Mini‑LED制备方法及Mini‑LED，该方法包括以下步骤：在衬底上生长形成外延层，以得到外延片；基于第一溶液对外延片进行粗化，在GaP层的表面沉积形成SiO2层；对SiO2层的表面进行抛光，并置入活化液中进行活化处理；将外延片与蓝宝石衬底进行键合，并去除衬底，以得到Mini‑LED。通过配置由碘酸、氢氟酸、硫酸和纯水制备成的粗化液，并采用五段式粗化的方式，结合优化的粗化方式提高粗化效果，使GaP层粗化后细腻度更好，和SiO2层形成更换的粘附效果，并设计由氢氧化钾溶液、双氧水、水组成的活化液，引入了碱活化的方式，达到有效悬挂氢氧键的作用，提高后续衬底的键合良率。
主权项：1.一种Mini-LED制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上生长形成外延层，以得到外延片，其中，所述外延层包括远离所述衬底一侧设置的GaP层；对所述外延片进行一次清洗处理，并对所述GaP层的表面进行粗化处理，其中，所述粗化处理的步骤包括：加入碘酸200g-300g、氢氟酸0.6L-0.8L、硫酸1.8L-2.2L、纯水4L-6L，混合后静置得到第一溶液；基于所述第一溶液对所述外延片进行粗化；对粗化后的外延片进行二次清洗处理，并在所述GaP层的表面沉积形成SiO2层；对所述SiO2层的表面进行抛光，并将完成抛光处理后的外延片置入活化液中进行活化处理；将完成活化处理后的外延片与蓝宝石衬底进行键合，并去除所述衬底，以得到Mini-LED。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种Mini-LED制备方法及Mini-LED
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