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申请/专利权人：东北大学
摘要：本发明公开了一种PbS量子点‑SnS2异质结构敏感材料及其制备方法与应用，PbS量子点‑SnS2异质结构敏感材料由花状SnS2和PbS量子点组成；其中，花状SnS2为SnS2纳米片自组装形成的多孔微米花状结构，PbS量子点负载于SnS2纳米片表面；PbS量子点在敏感材料中的摩尔百分含量为5％～30％。本发明首次利用具有大量悬挂键的超小尺寸PbS量子点复合在具有极大比表面积、高载流子迁移速率的‑SnS2纳米片表面形成异质结；基于PbS量子点‑‑SnS2异质结构敏感材料的传感器在室温25℃时对100ppm的NH3表现出高灵敏度，良好的选择性、快速的响应时间、出色的重复性以及长期稳定性。
主权项：1.一种PbS量子点-SnS2异质结构敏感材料，其特征在于，所述敏感材料由花状SnS2和PbS量子点组成；其中，所述花状SnS2为SnS2纳米片自组装形成的多孔微米花状结构，所述PbS量子点负载于所述SnS2纳米片表面；所述PbS量子点在所述敏感材料中的摩尔百分含量为5％～30％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东北大学 一种PbS量子点-SnS2异质结构敏感材料及其制备方法与应用
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