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结晶制造方法、结晶制造装置及单晶 

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申请/专利权人:TDK株式会社

摘要:本发明提供一种结晶制造方法,其中,首先,将具备前端变细的前端部1A的原料1配置于结晶生长区域2U的上方;接着,将前端部1A的侧面在维持前端部1A的形状的同时利用向斜上方行进的辐射热选择性地加热使其熔融,从该侧面熔融的材料将前端部1A的侧面和结晶生长区域2U的上表面物理连接。在结晶制造装置中,原料熔融用辐射热是从电阻加热器R放射的。

主权项:1.一种结晶制造方法,其中,所述结晶制造方法具备:将具备前端变细的前端部的原料配置于结晶生长区域的上方的工序;和将所述前端部的侧面在维持所述前端部的形状的同时利用向斜上方行进的辐射热选择性地加热使其熔融,从所述侧面熔融的材料将所述前端部的所述侧面和所述结晶生长区域的上表面物理连接的工序,向斜上方行进的所述辐射热是从配置于所述前端部和所述结晶生长区域之间的电阻加热器放射的,所述电阻加热器具有相对于水平面倾斜地延伸的电阻部分。

全文数据:

权利要求:

百度查询: TDK株式会社 结晶制造方法、结晶制造装置及单晶

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