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一种算力芯片及其设计方法、制造方法及算力芯片系统 

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申请/专利权人:芯方舟(上海)集成电路有限公司

摘要:本发明公开了一种算力芯片及其设计方法、制造方法及算力芯片系统,包括内核,所述内核内设置有存储模块和处理器,且存储模块与处理器通过标准接口建立数据连接,所述存储模块内设置有存储单元和运算器单元;通过在存储模块中增设运算器,将算力芯片的算力转移到存储器上,实现算力系统性能最大化,此外,通过运算器单元对存储器单元的预读取方式对数据进行读取,进一步提高了数据读取的速度,有效减少了数据从存储器传输到运算器所需的时间,从而提高了处理速度、提高了系统能效、降低了数据延迟、降低了工艺成本、优化内存访问模式、增强系统稳定性,同时本发明采用标准内存接口和众核架构设计,更加便于算力的扩展。

主权项:1.一种算力芯片,其特征在于,包括存储模块(111),所述存储模块(111)内设置有逻辑层(1111)和存储层(1112);所述逻辑层(1111)内设置有运算器单元(1111a)、控制单元(1111b)和物理接口单元(1111c),所述物理接口单元(1111c)被配置为标准内存接口;所述存储层(1112)内设置有多个存储单元(1112a);所述多个存储单元(1112a)根据所述运算器单元(1111a)的坐标和面积呈阵列排布,所述运算器单元(1111a)的正投影与所述多个存储单元(1112a)阵列的正投影重合;所述运算器单元(1111a)与所述存储单元(1112a)通过晶圆键合技术实现重叠;其中,所述运算器单元(1111a)被配置为对多个所述存储单元(1112a)进行数据的预读取,所述预读取的步骤包括:步骤1:所述运算器单元(1111a)对多个存储单元(1112a)中的第一存储单元进行读取数据,读取数据的过程包括经过T时间的延时后开始读取数据1;步骤2:在步骤1开始后的t时间以后,所述运算器单元(1111a)对第二存储单元进行读取数据,读取数据的过程包括经过T时间的延时后开始读取数据2;步骤3:在步骤2开始后的t时间以后,所述运算器单元(1111a)对第三存储单元进行读取数据,读取数据的过程包括经过T时间的延时后开始读取数据3;所述运算器单元(1111a)对其他存储单元重复上述步骤,直至数据被预读取完整;其中,t小于T。

全文数据:

权利要求:

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