龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：天津大学
摘要：本发明提供一种基于二维材料的电路元件的制备方法和逻辑电路，基于二维材料的电路元件的制备方法包括：在衬底上生长二维材料；在衬底上形成覆盖二维材料的第一介电层；按照预定图形，去除位于衬底上的目标区域的第一介电层材料和二维材料，得到图形化的第一介电层和位于图形化的第一介电层下的二维材料，其中，目标区域的形状与预定图形相对应；在图形化的第一介电层上和目标区域上形成金属层，得到基于二维材料的电路元件，避免了整个工艺过程中对二维材料的影响，保证了二维材料的性能的完整，使得基于二维材料的电路元件具有优异的高算力和低功耗性能，并避免了复杂的工艺流程。
主权项：1.一种基于二维材料的电路元件的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上生长二维材料；在所述衬底上形成覆盖所述二维材料的第一介电层；按照预定图形，去除位于所述衬底上的目标区域的第一介电层材料和二维材料，得到图形化的第一介电层和位于所述图形化的第一介电层下的二维材料，其中，所述目标区域的形状与所述预定图形相对应；在所述图形化的第一介电层上和所述目标区域上形成金属层，得到基于二维材料的电路元件；其中，所述金属层的厚度小于所述第一介电层的厚度，在所述图形化的第一介电层上形成的金属层作为所述电路元件的栅极，在所述目标区域上形成的金属层作为所述电路元件的漏极或者源极；其中，所述源极和所述漏极的厚度均小于所述第一介电层的厚度，以使所述栅极和所述源极、所述漏极隔离设置，由于图形化的二维材料被所述第一介电层覆盖，直接形成所述金属层，无需额外的图形化工艺即可完成所述电路元件中所述栅极、所述源极和所述漏极的制备。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津大学 基于二维材料的电路元件的制备方法和逻辑电路
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号