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申请/专利权人：ASMIP私人控股有限公司
摘要：本公开总体涉及半导体衬底处理技术领域，更具体地说，涉及用于在衬底上沉积材料层的方法、相应形成的结构以及用于执行这种方法和形成这种结构的系统。本公开的一个方面涉及一种层沉积过程，包括在衬底表面上形成极紫外EUV光致抗蚀剂底层的步骤，该方法包括以下步骤：在反应器室内提供衬底；向所述反应器室提供包含Sn和或In的前体，从而将所述前体吸附在所述衬底的表面上；以及通过将吸附在表面上的前体暴露于等离子体，在反应室内的衬底表面上形成EUV光致抗蚀剂底层，其中，等离子体包括作为反应物的H2和作为载气的稀有气体。
主权项：1.一种层沉积过程，包括在衬底表面上形成极紫外EUV光致抗蚀剂底层的步骤，该方法包括以下步骤：·在反应器室内提供衬底；·向所述反应器室提供包含Sn和或In的前体，从而将所述前体吸附在所述衬底的表面上；以及·通过将吸附在表面上的前体暴露于等离子体，在反应室内的衬底表面上形成EUV光致抗蚀剂底层，其中，等离子体包括作为反应物的H2和作为载气的稀有气体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASMIP私人控股有限公司 用于在衬底上沉积材料层的方法以及相应形成的结构
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