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申请/专利权人：金瑞泓科技(衢州)有限公司
摘要：本发明涉及一种改善硅片多晶层粗糙度的方法，包括以下步骤：步骤一：提供一个半导体衬底，该半导体衬底为合适厚度的单晶硅片；步骤二：在所述半导体衬底的背面上采用CVD工艺生长形成一吸杂作用的多晶硅层，所述的多晶硅层即POLY层；步骤三：在吸杂作用的多晶硅层表面采用快速热处理工艺即RTP工艺，通过高温、超短时成膜的方法，在多晶硅层暴露的外表面上生长出一层薄而致密的二氧化硅层予以隔离外延气氛，从而防止多晶硅层表面粗糙度恶化。本发明完全避免了POLY层裸露在外时粗糙度Rt变差的问题，对表面形貌要求比较高的后道工艺提供了有效的粗糙度改善措施，减少产品的报废，大大提高了产品质量。
主权项：1.一种改善硅片多晶层粗糙度的方法，其特征在于：具体包括以下步骤：步骤一：提供一个半导体衬底101，该半导体衬底101为合适厚度的单晶硅片；步骤二：在所述半导体衬底101的背面上采用CVD工艺生长形成一吸杂作用的多晶硅层102；步骤三：在吸杂作用的多晶硅层102表面采用快速热处理工艺即RTP工艺，通过高温、超短时成膜的方法，在多晶硅层102暴露的外表面上生长出一层薄而致密的二氧化硅层103，该二氧化硅层103将多晶硅层102暴露的外表面包裹住予以隔离外延气氛，从而防止多晶硅层102表面粗糙度恶化。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 金瑞泓科技(衢州)有限公司 一种改善硅片多晶层粗糙度的方法
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