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申请/专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
摘要：本发明属于半导体衬底材料制备技术领域，具体涉及一种锑化镓多晶的合成系统及方法，该系统由加热容器、底座支撑装置、加热装置、电磁搅拌装置和保温装置组成。基于该系统，按照装填物料、升温熔化以及多晶合成的步骤生产锑化镓多晶。合成系统通过对高温熔体施加磁场，在电磁力的作用下强化熔体流动，达到搅拌熔体的目的，无需额外干预。该合成方法通过梯度式凝固，提高晶体完整性。
主权项：1.一种锑化镓多晶的合成系统，其特征在于系统由加热容器、底座支撑装置、加热装置、电磁搅拌装置和保温装置组成：所述加热容器底部设置支撑装置，顶部设置保温装置，外侧环绕有加热装置，所述加热装置包含上部加热器和下部加热器，加热装置外还设置有电磁搅拌装置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 云南鑫耀半导体材料有限公司 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 一种锑化镓多晶的合成系统及方法
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