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申请/专利权人：苏科斯(江苏)半导体设备科技有限公司
摘要：本发明提供一种异质多晶SiGe栅HEMT及其制造方法，HEMT器件采用异质多晶SiGe栅极，其在长度方向上具有渐变的Ge组分，通过横向上精确控制电势分布，栅极可以对HEMT器件的功函数差、沟道电势分布及阈值电压进行精细调控，实现灵活调节沟道电流的大小的效果，以满足不同应用场景的需求，提供了更高的设计自由度。此外，采用多晶SiGe栅极相较于传统金属栅极，还能够改善避免界面穿刺问题，以及降低栅极间原子的互扩散，保持了更稳定的器件性能和更佳的长期可靠性。
主权项：1.一种异质多晶SiGe栅HEMT，包括衬底、形成于所述衬底上的GaN外延缓冲层、形成于所述GaN外延缓冲层上的N型掺杂层，形成于所述N型掺杂层上的源极、栅极和漏极，其特征在于，所述栅极包括至少两种横向接触的不同Ge组分的多晶SiGe栅极，自所述源极侧的多晶SiGe栅极至所述漏极侧的多晶SiGe栅极，Ge组分逐渐降低。
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权利要求：
百度查询： 苏科斯(江苏)半导体设备科技有限公司 异质多晶SiGe栅HEMT及其制造方法
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