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申请/专利权人：苏科斯(江苏)半导体设备科技有限公司
摘要：本发明提供一种平面型SGOISiGeHBT器件及其制造方法，HBT器件可以用于与CMOS单极器件共同集成成为Bi‑CMOS器件。在典型的CMOS结构中，包括Si衬底、SiGe缓冲层、具有应变Si的NP沟道结构和栅氧化层。为实现HBT和CMOS的材料和制造工艺的一致性，HBT器件在绝缘层上形成了SiGe集电区、SiGe基区和发射区，其材料层结构与CMOS单极器件相似。使得HBT双极器件和CMOS单极器件可以在相同的制造流程中协同生产，显著降低了工艺复杂度和预算。
主权项：1.一种平面型SGOISiGeHBT器件，其特征在于：所述HBT器件包括衬底、形成于所述衬底上的绝缘层；所述绝缘层上形成有SiGe集电区，所述SiGe集电区包括邻近所述绝缘层形成的亚集电区，和形成于所述亚集电区上的主集电区，所述亚集电区的N型掺杂浓度高于所述主集电区的N型掺杂浓度；所述SiGe集电区表面定义有SiGe基区窗口区，SiGe基区形成于所述SiGe基区窗口区；所述SiGe基区表面定义有Si发射区窗口区，Si发射区形成于所述Si发射区窗口区；所述SiGe集电区表面的电极引出窗口形成有向外延伸的第一电极引出结构，所述SiGe基区表面的电极引出窗口形成有向外延伸的第二电极引出结构，所述Si发射区表面的电极引出窗口形成有向外延伸的第三电极引出结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏科斯(江苏)半导体设备科技有限公司 平面型SGOI SiGe HBT器件及其制造方法
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