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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明提供一种基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法。根据本发明的方法，先在衬底表面形成由Si1-xGexGe或SiSi1-xGex形成的量子阱结构的材料层后，进行退火处理；接着在已形成的结构表面先低温生长Si1-xGex和或Si以修复表面，再形成由Si1-xGexGe或SiSi1-xGex形成的量子阱结构的材料层，并进行退火处理，如此重复两三个周期后，再在所形成的结构表面低温生长Si1-xGexSi的材料层，并采用智能剥离技术将已形成Si1-xGexSi材料层转移到含氧衬底的含氧层表面，由此可形成高质量的SGOI或sSOI结构。
主权项：一种基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法，其特征在于，所述方法至少包括步骤：1在衬底表面形成由Si1‑xGexGe或SiSi1‑xGex形成的量子阱结构的材料层后，进行退火处理，以使表层Si1‑xGex材料发生弛豫现象；2在已发生弛豫现象的结构表面重复两次以下过程：低温生长Si1‑xGex和或Si以修复表面；及基于已修复表面的结构来再次形成由Si1‑xGexGe或SiSi1‑xGex形成的量子阱结构的材料层后，进行退火处理；3在步骤2所形成的结构表面低温生长Si1‑xGexSi的材料层；4采用智能剥离技术将步骤3所形成的结构中的至少部分层转移到一含氧衬底的含氧层表面，以形成SGOI或sSOI结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法
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