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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种SGOI器件的制造方法，包括：步骤一、提供SGOI衬底结构。步骤二、对顶部锗硅层表面进行氮化处理形成抗刻蚀层。步骤三、进行栅氧化工艺形成栅氧化层，栅氧化工艺同时将氧掺入到抗刻蚀层中并使抗刻蚀层为SiGeON层。步骤四、形成栅极导电材料层，对栅极导电材料层进行图形化刻蚀形成由栅氧化层和栅极导电材料层的栅极结构。在栅极导电材料层的图形化刻蚀中，抗刻蚀层对顶部锗硅层进行保护并防止产生锗硅材料缺失。本发明能防止栅极结构的图形化刻蚀工艺对顶部锗硅层产生损伤，从而能提高产品性能，并能为后续抬升源漏层的生长提供良好表面，从而有利于改善抬升源漏层的结构并进一步提升器件性能。
主权项：1.一种SGOI器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供SGOI衬底结构，所述SGOI衬底包括底部半导体层，绝缘埋层，顶部锗硅层；所述绝缘埋层形成于所述底部半导体层表面；步骤二、对所述顶部锗硅层表面进行氮化处理形成抗刻蚀层，所述抗刻蚀层包括Si、Ge和N元素；步骤三、进行栅氧化工艺在形成有所述抗刻蚀层的所述顶部锗硅层的表面形成栅氧化层，所述栅氧化工艺同时将氧掺入到所述抗刻蚀层中并使所述抗刻蚀层为SiGeON层；步骤四、在所述栅氧化层的表面形成栅极导电材料层，对所述栅极导电材料层进行图形化刻蚀在栅极结构形成区域形成由所述栅氧化层和所述栅极导电材料层的栅极结构；所述栅极结构外的所述栅极导电材料层被去除；在所述栅极导电材料层的图形化刻蚀中，所述抗刻蚀层对所述顶部锗硅层进行保护并防止产生锗硅材料缺失。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 SGOI器件的制造方法
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