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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明提供一种具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法。根据本发明的方法，先在衬底的单晶表面进行离子注入后，再形成包含由Si1-xGexGe或SiSi1-xGex形成的超晶格结构的多层材料层；随后，在已形成多层材料层的结构表面低温生长Si1-yGey和或Si后，进行退火处理，以使表层的Si1-yGey层发生弛豫现象；最后再采用智能剥离技术将已发生弛豫现象的结构中的至少部分层转移到含氧衬底的含氧层表面，以形成SGOI或sSOI结构；由此可有效避免现有超厚缓冲层在材料和时间方面的浪费及现有先长后注对外延层的影响。
主权项：一种具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括步骤：1在衬底的单晶表面进行离子注入后，再形成包含由Si1‑xGexGe或SiSi1‑xGex形成的超晶格结构的多层材料层；2在已形成多层材料层的结构表面在400度到500度的低温生长Si1‑yGey和或Si后，进行退火处理，以使表层的Si1‑yGey层发生弛豫现象；3采用智能剥离技术将已发生弛豫现象的结构中的至少部分层转移到含氧衬底的含氧层表面，经过化学腐蚀和或抛光以形成SGOI或sSOI结构；每一Si1‑yGeyGe或Si材料层的厚度在十纳米范围内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 具有高弛豫和低缺陷密度的SGOI或sSOI的制备方法
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