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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种基于AlN埋绝缘层的单轴应变SGOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1SGOI晶圆顶层SiGe层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SGOI晶圆两端，距SGOI晶圆边缘1cm；3缓慢旋动连接压杆的螺帽，使SGOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至SGOI晶圆完全与弧形台面贴合；4载有SGOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火；5退火结束后缓慢降温至室温，取出载有SGOI晶圆片的弧形弯曲台；6旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的SGOI晶圆回复原状。本发明具有如下优点：1制作成本低；2制作设备及工艺简单；3应变效果高；4绝缘性和热性能优良；5成品率高；6退火温度范围大。
主权项：一种基于AlN埋绝缘层的单轴应变SGOI晶圆的制作方法，其特征在于以成品的SGOI晶圆为原料，仅有机械弯曲与热退火两道工艺过程，只采用弯曲台和退火炉两台设备，包括以下步骤：1SGOI晶圆顶层SiGe层面向上或向下放置在弧形弯曲台上，其最小曲率半径与SGOI晶圆尺寸相关；2两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SGOI晶圆两端，距SGOI晶圆边缘1cm；3缓慢旋动连接压杆的螺帽，使SGOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至SGOI晶圆完全与弧形台面贴合；4载有SGOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火，退火温度介于300℃至1250℃之间；5退火结束后缓慢降温至室温，取出载有SGOI晶圆片的弧形弯曲台；6旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的SGOI晶圆回复原状。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 基于机械弯曲台的AlN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法
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