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申请/专利权人：中国航发北京航空材料研究院

摘要：本发明提供涡轮叶片表面薄膜热电偶多界面氧化铝绝缘层制备方法，包括将所述涡轮叶片试验件置于真空环境中，并对所述试验件的叶背区域进行离子刻蚀；离子刻蚀后保持真空环境，并对所述叶背区域进行第一层的磁控溅射沉积；磁控溅射的靶材材质为氧化铝；溅射沉积后从真空环境中转移到大气环境；分五次进行溅射及退火处理，逐次形成第二层到第六层的氧化铝，从大气环境转移到真空环境中，并进行第七层的磁控溅射沉积；溅射沉积后从真空环境中转移到大气环境。本发明过调整氧化铝薄膜沉积工艺，在无金属粘接层的条件下，在涡轮叶片表面制备与金属基底结合力强、尺寸薄、绝缘性能优异的多界面氧化铝绝缘层。

主权项：1.一种涡轮叶片表面薄膜热电偶多界面氧化铝绝缘层制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、将所述涡轮叶片试验件置于真空环境中，并对所述试验件的叶背区域进行离子刻蚀；步骤2、离子刻蚀后保持真空环境，并对所述叶背区域进行第一层的磁控溅射沉积；磁控溅射的靶材材质为氧化铝；溅射沉积后从真空环境中转移到大气环境；将沉积后的涡轮叶片试验件加热到800℃～1000℃，保温至少1小时；保温后的第一层氧化铝厚度不超过300nm；步骤3、分五次进行溅射及退火处理，逐次形成第二层到第六层的氧化铝，每次处理过程均为：从大气环境转移到真空环境中，并进行磁控溅射沉积；溅射沉积后从真空环境中转移到大气环境；将沉积后的涡轮叶片试验件加热到800℃～1000℃，保温至少1h；保温后每层氧化铝厚度不超过300nm；每次处理过程中的溅射工艺存在区别；步骤4、从大气环境转移到真空环境中，并进行第七层的磁控溅射沉积；溅射沉积后从真空环境中转移到大气环境；将沉积后的涡轮叶片试验件加热到700℃～950℃，保温至少0.5h；保温后的第七层氧化铝厚度不超过50nm；第一层的沉积温度为选自450℃～500℃范围的恒温沉积；第二、四、六层的沉积温度为从200℃到450℃的变温沉积；第三、五、七层的沉积温度为选自200℃～250℃范围的恒温沉积；第一层沉积对应的真空环境的真空压力不小于1.0×10-4Pa，第二层至第七层沉积对应的真空环境的真空压力不小于5.0×10-3Pa；各层的所述磁控溅射中溅射气压均满足0.2Pa～0.4Pa；第一层溅射沉积施加850V～1000V偏压，第二层至第七层沉积无偏压；第一至第六层沉积时间为5h，第七层沉积时间为0.5h。

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