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申请/专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
摘要：本申请公开一种用于制作集成LED和HBT的外延结构的制作方法，所述方法包括如下步骤：生长HBT的集成外延结构；制备LED器件；通过磷化砷铟镓刻蚀截止层隔离所述HBT外延与所述LED器件；制备HBT电极；制备LED区域台面，制备所述LED器件的P面电极与N面电极，电连接HBT与LED。
主权项：1.一种用于制作集成LED和HBT的外延结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：生长HBT的集成外延结构；制备LED器件；通过磷化砷铟镓刻蚀截止层隔离所述HBT外延与所述LED器件；制备HBT电极；制备LED区域台面，制备所述LED器件的P面电极与N面电极，电连接HBT与LED。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁波飞芯电子科技有限公司 一种用于制作集成LED和HBT的外延结构的制作方法
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