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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种HBT器件及其制作方法，制作方法包括：提供衬底，对衬底进行离子注入形成集电区。刻蚀部分厚度的衬底形成沟槽，沟槽暴露出集电区上表面。形成基区外延层，基区外延层填充沟槽。形成外基区多晶硅层，外基区多晶硅层覆盖基区外延层且具有位于集电区上方的开口；开口的侧壁形成侧墙。形成掺杂的发射区多晶硅层，发射区多晶硅层至少填充侧墙和基区外延层围成的窗口。对衬底进行尖峰退火处理，在尖峰退火升温初期通入O2，以在裸露的发射区多晶硅层表面形成氧化层，如此氧化层可以避免发射区多晶硅层中掺杂离子例如As的损失，发射区多晶硅层得到更小的方块电阻，提高发射区多晶硅层掺杂浓度，确保HBT器件的速度。
主权项：1.一种HBT器件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，对所述衬底进行离子注入形成集电区；刻蚀部分厚度的所述衬底形成沟槽，所述沟槽暴露出所述集电区上表面；形成基区外延层，所述基区外延层填充所述沟槽；形成外基区多晶硅层，所述外基区多晶硅层覆盖所述基区外延层且具有位于所述集电区上方的开口；所述开口的侧壁形成侧墙；形成掺杂的发射区多晶硅层，所述发射区多晶硅层至少填充所述侧墙和所述基区外延层围成的窗口；对所述衬底进行尖峰退火处理，在尖峰退火升温初期通入O2，以在所述裸露的发射区多晶硅层表面形成氧化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 HBT器件及其制作方法
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