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申请/专利权人：西安瑞芯光通信息科技有限公司
摘要：本发明公开了一种化合物半导体材料的HBT外延结构及其制备方法，其包括基底，以及依次位于其上方的集电区、基区和发射区。解决了材料生长过程异质结面晶格适配问题，引入和GaN晶格匹配的Al0.82In0.18N作为发射区异质结材料，可以减小材料表面异质缺陷，亦可以实现抑制流向基区不必要的空穴电流；通过在N‑P‑N型HBT外延层各区材料的接触界面引入本征材料层i形层，可以减小结电容和势垒电容等非线性电容，增强器件线性度，利于高频微波工作；通过引入PN梯度掺杂层结构，既然可以使得界面耗尽区增强，减小结电容，同时梯度掺杂可以保证器件小的电阻率，较小发射电阻，增强频率特性，实现优化性能。
主权项：1.一种化合物半导体材料的HBT外延结构，其特征在于，包括基底，以及依次位于其上方的集电区、基区和发射区；其中，所述集电区包括GaN层和依次位于其上方的n+-GaN层、第一n++-GaN层、n++-GaNInGaN-SL层、n++-InGaN层和第一i-GaN层；所述GaN层位于所述基底上方；所述基区包括第一P-GaN层和依次位于其上方的P+-GaN层和第二P-GaN层和第二i-GaN层；所述第一P-GaN层位于所述第一i-GaN层上方；所述发射区包括第一n-AlxInyN0＜y＜x＜1层和依次位于其上方的n+-AlxInyN层、第二n-AlxInyN层、i-AlxInyN层、n-GaN层和第二n++-GaN层；所述n+-AlxInyN层位于所述第二i-GaN层上方。
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