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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要：本发明提出一种基于GaAsHBT工艺的低相噪差分压控振荡器，属于射频微波技术领域，包括与偏执模块分别连接的输出缓冲模块、以及振荡器模块，输出缓冲模块与以及振荡器模块相连。本发明能够应用于锁相环系统；采用差分交叉耦合结构进行正反馈负阻电路设计，通过优化片上LC谐振网络品质因素，实现频带内相位噪声小于‑130dBcHz@1MHzOffset；两路差分输出级采用射极跟随器+共射放大器的结构，减小了输出负载对输出信号频率的牵引，实现了输出功率大于10dBm的同时，减小了共模干扰和温度变化对输出信号频率输出的影响；本发明提供的压控振荡器电路，具有低的相位噪声和良好的抗干扰能力。
主权项：1.一种基于GaAsHBT工艺的低相噪差分压控振荡器，其特征在于，包括与偏执模块分别连接的输出缓冲模块、以及振荡器模块，输出缓冲模块与以及振荡器模块相连；所述相噪差分压控振荡器应用于锁相环系统，能够实现频带内低相位噪声和输出高功率；所述振荡器模块包括负阻电路、以及与负阻电路连接的谐振电路，负阻电路为差分交叉耦合结构形成正反馈网络，为谐振电路注入能量；输出缓冲模块包括射极跟随器电路、以及与射极跟随器电路连接的共射放大器电路，射极跟随器电路连接谐振电路，射极跟随器电路提供高输入阻抗和低输出阻抗实现高阻到低阻的转换，减小后级输出负载变化对振荡器模块造成的频率牵引，共射放大器电路连接偏执模块，所述共射放大器电路采用LC并联谐振，用于保证功率增益，提高输出端隔离度，实现高带内增益和低输出回波损耗。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种基于GaAs HBT工艺的低相噪差分压控振荡器
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