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申请/专利权人：恩智浦有限公司
摘要：公开了一种SiGeHBT及其制造方法，所述SiGeHBT包括：n掺杂掩埋集电极；p掺杂SiGe基极层，在层堆叠内，所述层堆叠位于所述集电极上方且与所述集电极直接接触；n掺杂单晶硅发射极；位于所述层堆叠的第二区域上方的外延硅基极接触层；多晶硅发射极接触层；位于所述层堆叠的在第一区域与所述第二区域之间的第三区域上方的氧化物层，其中所述氧化物层和所述n掺杂单晶硅发射极位于所述外延硅层中的窗口内，所述窗口具有侧壁；位于所述窗口的所述侧壁上和所述氧化物层上方且提供所述外延硅层与所述多晶硅层之间的电隔离的电介质间隔物；在所述窗口的所述侧壁上的所述电介质间隔物下方延伸的所述外延硅层。
主权项：1.一种SiGe异质结双极晶体管HBT200，包括发射极、基极和集电极，其特征在于：所述集电极包括n掺杂植入区160；所述基极包括p掺杂SiGe层，在至少包括所述p掺杂SiGe层且具有上表面210的层堆叠110内，所述层堆叠位于所述集电极上方且与所述集电极直接接触；所述发射极包括n掺杂单晶硅发射极142，所述n掺杂单晶硅发射极位于所述层堆叠的所述上表面的第一区域上方且与所述第一区域直接接触；其中所述HBT另外包括：外延硅层218，所述外延硅层位于所述层堆叠的所述上表面的第二区域上方且与所述第二区域直接接触，且用于提供与所述基极的电连接；多晶硅发射极接触层144，所述多晶硅发射极接触层用于提供与所述发射极的电连接；氧化物层216，所述氧化物层位于所述层堆叠的所述上表面的在所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域上方且与所述第三区域直接接触，其中所述氧化物层和所述n掺杂单晶硅发射极位于所述外延硅层中的窗口内，其中所述窗口具有侧壁；电介质间隔物132，所述电介质间隔物位于所述窗口的所述侧壁上和所述氧化物层上方，且提供所述外延硅层与所述多晶硅层之间的电隔离；并且其中所述外延硅层在所述窗口的所述侧壁上的所述电介质间隔物下方延伸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 恩智浦有限公司 SiGe HBT及其制造方法
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