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申请/专利权人：成都昆仑玉丘科技有限公司
摘要：本发明提供了一种基于全氢化单层硅锗烯的场效应晶体管的仿真结构、建模方法及应用，涉及半导体材料与微电子器件领域。本发明采用基于密度泛函理论的第一性原理计算，在原子尺度上，采用PAW雁势，对全氢化单层硅锗烯进行两步结构优化，获得了稳定的单层结构，之后对其进行能带计算以及电学性质计算。基于第一性原理的计算结果，设计了基于全氢化单层硅锗烯场效应晶体管的仿真结构，本发明利用SilvacoTCAD软件强大的器件仿真功能定义全氢化单层硅锗烯场效应晶体管的结构，使用此结构可以有效分析该晶体管的性能参数，该模型不仅结构简单明了、原理易懂、无需复杂的建模过程，在实际集成电路生产过程中具有指导性的意义。
主权项：1.一种基于全氢化单层硅锗烯的场效应晶体管的建模方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：获取单层硅锗烯的晶体结构CIF文件，并将晶体结构CIF文件导入可视化数据处理软件vesta中，往硅原子和锗原子上加上氢原子以氢化，导出.vasp文件，并更名为POSCAR，在赝势库中提取硅、锗和氢的赝势文件，合并成一个新的赝势文件，名为POTCAR；步骤S2：将POSCAR文件、POTCAR文件导入并行云计算中，利用vaspkit软件生成INCAR文件和KPOINTS文件，对生成的INCAR和KPOINTS进行修正，将计算所需的POSCAR、POTCAR、INCAR、KPOINTS和运行脚本文件放入同一个文件夹中，提交并行云计算中的运行脚本文件对结构进行第一步优化；步骤S3：将第一步优化好的CONTCAR导出，修改INCAR文件，继续进行第二步结构优化，输出优化好的CONTCAR和OUTCAR文件，得到稳定的晶体结构信息；步骤S4：对输出的CONTCAR文件中的材料进行能带结构和电学性质的计算，得到在SilvacoTCAD中定义新材料所需要的材料参数；步骤S5：利用SilvacoTCAD软件建立基于全氢化单层硅锗烯的双栅场效应晶体管的仿真结构；步骤S6：获得n型全氢化单层硅锗烯场效应晶体管的仿真结构并进行分析。
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权利要求：
百度查询： 成都昆仑玉丘科技有限公司 基于H-SiGe ML场效应晶体管的仿真结构、建模方法和应用
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