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申请/专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
摘要：本发明属于集成电路电子化学品领域，具体涉及一种SiGe和Si的选择性蚀刻液的制备及其使用方法。所述蚀刻液主要用于SiGe的湿法刻蚀，对SiGe具有良好的选择性，且对Si的腐蚀性弱，主要成分包括1~15%的复合氧化剂、1~15%的氟源、30~60%的缓冲组合物、0.05~5%的螯合剂、高纯水。该蚀刻液不仅对SiGe具有良好的选择性，而且具有较高的寿命，还能通过组分含量以及温度来控制蚀刻速率及选择比。
主权项：1.一种SiGe和Si的选择性蚀刻液，其特征在于：对SiGe具有选择性蚀刻，主要成分包括1~15%的复合氧化剂、1~15%的氟源、30~60%的缓冲组合物、0.05~5%的螯合剂、余量为高纯水；所述复合氧化剂是无机氧化剂和有机氧化剂以质量比3：5、3：6、5：5、5：10或3：10复配形成的复合氧化剂；所述无机氧化剂包括过氧化氢、过氧乙酸、过硼酸、过硫酸铵、硝酸、高碘酸中的至少一种；所述有机氧化剂包括三甲胺N-氧化物、N-甲基吗啉-N-氧化物、硝基吡啶、硝基苯酚、阿脲、N-氧化吡啶、三甲胺N-氧化物中的至少一种；所述缓冲组合物为醋酸-醋酸铵缓冲体系或柠檬酸-柠檬酸铵缓冲体系，选择性蚀刻液pH值为2.5~4.5。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种SiGe和Si的选择性蚀刻液
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