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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明公开了一种含SiNxSi的复合硅层的硅碳材料及制备方法，将碳基材置于管式炉中，通入氩气，以5℃min升温到300‑800℃，然后同时通入硅源和氮源并到达一定的气压，通过气相沉积的方法，得到SiNx的复合硅层。本发明的硅碳材料与普通的CVD硅碳复合材料相比，有以下的优势：1.含SiNxSi的复合硅层促进生成含氮的SEI膜，提升电极的锂离子迁移速率。2.SiNxSi纳米互嵌入结构的构建，均匀的分散了纳米硅颗粒，同时防止材料循环过程的电化学烧结，提升了材料的循环性能。3.工艺简单，匹配当下最常见的CVD硅碳材料制备工艺，不需要引入新的工序和设备，应用成本低。
主权项：1.一种含SiNxSi的复合硅层的硅碳材料制备方法，其特征在于，将碳基材置于管式炉中，在一定温度下，按照一定的比例同时通入硅源和氮源并到达一定的气压，通过气相沉积的方法，得到SiNx的复合硅层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 含SiNx/Si的复合硅层的硅碳材料及制备方法
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