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申请/专利权人：材料科学姑苏实验室
摘要：本发明中首次将新型SiSiGe量子阱应用于忆阻器件的阻变层中，制作了三明治结构+硅衬底的RRAM器件。单晶的SiSiGe量子阱结构，具有电阻随温度上升而逐渐下降即负温度系数TCR的材料特性，通过调节Ge的成分比例，可以使TCR实现‑2.5％K～‑4％K的变化，同时具有较低的电子噪声。而进一步将其用作阻变层材料制备成忆阻器件之后，在外加不同电压刺激下，器件内部的焦耳热积累，从而使阻变层的电阻值发生改变，最终实现器件的打开，实现忆阻器件的制备。本发明中所制造的忆阻器件，采用了新型的SiSiGe量子阱结构，能够实现在较小的电压刺激下打开，也可以通过调整Ge的成分比例，得到不同开启电压的忆阻器件，制备灵活；同时具有同质衬底外延、制备简单、薄膜无应力、稳定性好等优点；同时基于传统的硅基CMOS技术，工艺技术成熟度高，短时间内可以获得大量的应用推广。
主权项：1.一种基于SiSiGe量子阱的新型忆阻器及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明特征在于：为三明治结构+硅的RRAM，从上到下依次为顶部电极、阻变层、底部电极、基底；采用溅射或者电子束蒸发制备金属顶电极，采用分子束外延制备SiSiGe量子阱结构阻变层，采用溅射或者电子束蒸发制备金属底电极，采用硅片作为基底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 材料科学姑苏实验室 一种基于Si/SiGe量子阱结构的新型忆阻器及其制备方法
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