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申请/专利权人：广东工业大学
摘要：本申请属于存储器件技术领域，尤其涉及基于锡酸锶阻变薄膜的阻变存储器及制备方法和封装方法；本申请提供的阻变存储器包括顶电极、底电极以及锡酸锶阻变薄膜，锡酸锶阻变薄膜设置在顶电极、底电极之间，锡酸锶阻变薄膜是一种钙钛矿结构的氧化物，与传统钙钛矿结构的阻变薄膜相比，稳定性更好，不容易潮解；同时使用聚二甲基硅氧烷封装基于锡酸锶阻变薄膜的阻变存储器后，可以减少外部环境对阻变存储器的不利影响，提高阻变存储器的性能，从而解决了现有技术中钙钛矿阻变薄膜材料容易潮解，导致阻变存储器的稳定性较差的技术问题。
主权项：1.一种基于锡酸锶阻变薄膜的阻变存储器，其特征在于，包括顶电极、底电极、锡酸锶阻变薄膜；所述顶电极和所述底电极之间设置锡酸锶阻变薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东工业大学 基于锡酸锶阻变薄膜的阻变存储器及制备方法和封装方法
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