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申请/专利权人：陕西科技大学
摘要：本发明公开了一种基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器及其制备方法和应用，属于非易失性阻变存储器及神经网络计算技术领域，在绝缘衬底上沉积导电薄膜，作为下电极；采用物理气相沉积方式，先在下电极上沉积金属氧化物层，然后沉积高熵氧化物层，获得的叠层作为阻变层；继续沉积导电薄膜，作为上电极，得到基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器。制备工艺简单、与CMOS工艺兼容、低能耗、环保和性能优异，在电激励调控下氧空位的迁移具有连续性，因而构建的导电通道的形成和断裂具有渐变性，进而实现模拟阻变特性，具有电导线性度高、可调控范围广和对称性好的模拟阻变性能，在信息存储及神经网络计算领域具有应用前景。
主权项：1.一种基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1在绝缘衬底上沉积导电薄膜，作为模拟型忆阻器的下电极；2在步骤1制得的下电极上，采用物理气相沉积方式，先沉积金属氧化物层，然后沉积高熵氧化物层，获得的叠层，作为模拟型忆阻器的阻变层；3在步骤2生长的叠层上，继续沉积导电薄膜，作为模拟型忆阻器的上电极；得到基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器。
全文数据：
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百度查询： 陕西科技大学 一种基于高熵氧化物和金属氧化物叠层的模拟型忆阻器及其制备方法和应用
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