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一种热辐射抑制叠层结构、其制备方法及应用 

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申请/专利权人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

摘要:本发明公开了一种热辐射抑制叠层结构、其制备方法及应用。所述热辐射抑制叠层结构由低红外发射率上层、相变储能中层和热辐射反射下层构成,所述低红外发射率上层包括气凝胶薄膜以及设置于所述气凝胶薄膜表面的低红外发射率金属镀层;所述相变储能中层包括气凝胶薄膜与相变材料形成的复合结构;所述热辐射反射下层包括图案化气凝胶薄膜以及设置于所述图案化气凝胶薄膜的图案化一面的热辐射反射金属镀层。本发明提供的热辐射抑制叠层结构具有太阳光反射率高、3‑15μm波段平均红外发射率低、相变焓值高等优点,可应用于光照下高温目标物体长时间热辐射抑制,此外,具有良好柔韧性,方便应用于隔热、储能以及对抗红外探测等领域。

主权项:1.一种热辐射抑制叠层结构,其特征在于,所述热辐射抑制叠层结构由低红外发射率上层、相变储能中层和热辐射反射下层构成,所述低红外发射率上层包括气凝胶薄膜以及设置于所述气凝胶薄膜表面的低红外发射率金属镀层,所述气凝胶薄膜的材质选自聚酰亚胺、纤维素、芳纶、壳聚糖、氧化硅中的任意一种或两种以上的组合,所述低红外发射率金属镀层的材质选自金、银、铝、锗、锌中的任意一种或两种以上的组合,所述低红外发射率上层的太阳光反射率为0.5~0.95,在3~15μm波段的平均红外发射率为0.05~0.5,厚度为50~1000μm;所述相变储能中层包括气凝胶薄膜与相变材料形成的复合结构,所述相变储能中层中相变材料的填充量在99wt%以下,所述相变储能中层的相变焓值为在250Jg以下,所述相变储能中层的厚度为50~1000μm,拉伸强度为0.2~100MPa;所述热辐射反射下层包括图案化气凝胶薄膜以及设置于所述图案化气凝胶薄膜的图案化一面的热辐射反射金属镀层,所述图案化气凝胶薄膜的材质选自聚酰亚胺、纤维素、芳纶、壳聚糖、氧化硅中的任意一种或两种以上的组合,所述热辐射反射金属镀层的材质选自金、银、铝、锗、锌中的任意一种或两种以上的组合,所述热辐射反射下层在3~16μm波段的热辐射反射率为0.5~0.95,厚度为50~1000μm。

全文数据:

权利要求:

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