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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种插入储氧层的氧化物忆阻器，从下至上依次设置底电极、功能层、顶电极，功能层填充在介质层上设置的纵向开孔结构内部；开孔结构内部引出电极接测试引线；所述功能层在进行set与reset操作的过程中使氧离子发生迁移。本发明在进行set与reset操作的过程中使得HfO2中的氧离子发生迁移，从而实现Ta与TaOy的转变，并将氧离子牢牢控制在功能层储氧层中。
主权项：1.一种插入储氧层的氧化物忆阻器，其特征在于，从下至上依次设置底电极、功能层、顶电极，功能层填充在介质层上设置的纵向开孔结构内部；开孔结构内部引出电极接测试引线；所述功能层在进行set与reset操作的过程中使氧离子发生迁移，并将氧离子被限制在功能层的储氧层中，避免功能层中的氧离子浓度下降。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种插入储氧层的氧化物忆阻器
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