龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：陕西科技大学
摘要：本发明公开了一种稀土元素掺杂非晶氧化钨薄膜的模拟忆阻器及其制备方法，属于非易失性存储器技术领域，包括：先在衬底上沉积导电薄膜作为模拟忆阻器的底电极薄膜；然后在底电极薄膜上沉积稀土元素掺杂的非晶氧化钨薄膜，作为模拟忆阻器的存储层；最后在存储层上沉积导电薄膜作为模拟忆阻器的顶电极薄膜；得到稀土元素掺杂非晶氧化钨薄膜的模拟忆阻器。将稀土元素掺杂改性的非晶氧化钨薄膜作为模拟忆阻器的存储层，实现具有高对称性、高线性度及动态调控范围大的模拟阻变性能，具有模拟阻变性能稳定、成本低、制备工艺与COMS工艺兼容等优点，有利于规模化生成，在存内计算等技术领域具有优异的应用前景。
主权项：1.一种稀土元素掺杂非晶氧化钨薄膜的模拟忆阻器的制备方法，其特征在于，包括：先在衬底上沉积导电薄膜作为模拟忆阻器的底电极薄膜；然后在底电极薄膜上沉积稀土元素掺杂的非晶氧化钨薄膜，作为模拟忆阻器的存储层；最后在存储层上沉积导电薄膜作为模拟忆阻器的顶电极薄膜；得到稀土元素掺杂非晶氧化钨薄膜的模拟忆阻器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 陕西科技大学 一种稀土元素掺杂非晶氧化钨薄膜的模拟忆阻器及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号