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申请/专利权人：杭州镓仁半导体有限公司
摘要：本申请提供了一种氧化镓单晶生长装置和方法，该装置包括炉体，穿设于所述上盖的上籽晶杆，穿设于所述下盖的下籽晶杆，绕设于炉筒外围的螺旋状感应线圈，用于提供高频交变磁场；感应线圈自上而下包括稳定线圈、悬浮加热线圈，稳定线圈通电后产生的电磁力与悬浮加热线圈通电后产生的电磁力方向相反，二者相互作用，以使投放于炉筒内的悬浮热源在工作状态下，稳定的悬浮于所述感应线圈围设出的工作区域。该方法通过感应线圈为悬浮热源加热，再使用悬浮热源为料棒加热得到悬浮熔体，籽晶与悬浮熔体接触并完成氧化镓单晶的生长，满足了无坩埚生长2英寸以上的大尺寸氧化镓单晶的需求。
主权项：1.一种氧化镓单晶生长装置，其特征在于，包括：炉体，所述炉体包括炉筒、分别设置于炉筒两端的上盖、下盖，所述上盖上设置有与所述炉筒内部连通的投料通道和第一气体通道，所述投料通道用于向所述炉筒内投放悬浮热源材料，所述下盖上设置有与所述炉筒内部连通的第二气体通道；穿设于所述上盖的上籽晶杆，所述上籽晶杆用于安置氧化镓料棒；穿设于所述下盖的下籽晶杆，所述下籽晶杆用于安置氧化镓籽晶；绕设于所述炉筒外围的螺旋状感应线圈，用于提供高频交变磁场；所述感应线圈自上而下包括稳定线圈、悬浮加热线圈，所述稳定线圈通电后产生向下的第一电磁力，所述悬浮加热线圈通电后产生向上的第二电磁力，所述第一电磁力和第二电磁力相互作用，以使投放于所述炉筒内的悬浮热源在工作状态下，稳定的悬浮于所述感应线圈围设出的工作区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州镓仁半导体有限公司 氧化镓单晶生长装置和方法
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