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申请/专利权人：唤月照雪(厦门)科技有限责任公司
摘要：本发明公开了一种大尺寸碳化硅单晶生长装置及其制备方法，利用主加热器和辅助加热器的配合，通过上下移动坩埚的位置，可以实现生长坩埚内温度场的局域化调整，精确控制坩埚原料内部最高温区位置始终能够接近于粉料表面区域，进而避免生长过程中因粉料内部温度过高而表面温度过低导致的原料表面石墨化和原料碳或碳化硅非晶颗粒对单晶生长质量的破坏，从而制得大尺寸、高质量的碳化硅单晶。
主权项：1.一种大尺寸碳化硅单晶的制备方法，其特征在于：所述大尺寸碳化硅单晶的尺寸≥6英寸，厚度≥2cm；所述制备方法采用大尺寸碳化硅单晶生长装置，所述大尺寸碳化硅单晶生长装置包括设于PVT生长腔室内的生长坩埚、保温层、主加热器和辅助加热器；生长坩埚内的下部用于装填粉料，上部用于装设籽晶；保温层包裹于生长坩埚外围并对应生长坩埚的顶部和底部开设有测温孔；主加热器和辅助加热器设于生长坩埚和保温层之间；主加热器和辅助加热器均为圆筒状电阻加热器，且主加热器位于辅助加热器下方，其中主加热器对应粉料区域，辅助加热器对应籽晶区域；生长坩埚顶部连接有提拉杆，提拉杆用于控制生长坩埚上下移动；所述制备方法是将碳化硅粉料装填于生长坩埚内的下部，将碳化硅籽晶装设于坩埚内的顶部，独立控制主加热器和辅助加热器对生长坩埚进行加热，待生长坩埚升温至碳化硅生长温度时，通过测温孔采集生长坩埚顶部和底部的温度数据；通过提拉杆控制生长坩埚相对主加热器的位置和或控制主加热器和辅助加热器的功率调整生长坩埚内部温度梯度，使生长坩埚内最高温度点始终位于粉料表面以下2~10cm的位置，碳化硅粉料加热升华形成气相组分，气相组分在温度梯度的驱动下上升至籽晶表面结晶，进行碳化硅单晶的长晶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 唤月照雪(厦门)科技有限责任公司 一种大尺寸碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备方法
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