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申请/专利权人：福建晶旭半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种氧化镓压电衬底及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：1提供源衬底，在所述源衬底上制备结晶层；2在所述结晶层上制备ε‑Ga2O3压电薄膜层；3在所述ε‑Ga2O3压电薄膜层上制备键合层；4提供转移衬底，通过键合层将ε‑Ga2O3压电薄膜层与转移衬底键合；5对源衬底进行机械减薄并刻蚀，暴露出结晶层；6去除结晶层，暴露出ε‑Ga2O3压电薄膜层，得到氧化镓压电衬底。本发明能够制备具有高精度的氧化镓压电薄膜层的压电衬底。
主权项：1.一种氧化镓压电衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1提供源衬底，在所述源衬底上制备结晶层；2在所述结晶层上制备ε-Ga2O3压电薄膜层；3在所述ε-Ga2O3压电薄膜层上制备键合层；4提供转移衬底，通过键合层将ε-Ga2O3压电薄膜层与转移衬底键合；5对源衬底进行减薄并刻蚀，暴露出结晶层；6去除结晶层，暴露出ε-Ga2O3压电薄膜层，得到氧化镓压电衬底。
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权利要求：
百度查询： 福建晶旭半导体科技有限公司 一种氧化镓压电衬底及其制备方法
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