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用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 

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申请/专利权人:朗姆研究公司

摘要:提供了一种等离子体处理系统。该系统包含室、控制器、及设置于该室中的喷淋头。第一气体歧管连接至该喷淋头以用于响应来自该控制器的控制而从第一气体源提供第一气体。喷淋器‑基座设置于该室中并定位于该喷淋头的对侧。第二气体歧管连接至该喷淋器‑基座以用于响应来自该控制器的控制而从第二气体源提供第二气体。提供用于以与该喷淋器‑基座成间隔开的关系保持衬底的衬底支撑件。提供用于将功率提供给该喷淋头以产生等离子体的射频RF电源。等离子体用于在该衬底存在于该室中时在该衬底的背侧上沉积膜。在背侧沉积期间,该衬底由该衬底支撑件以与该喷淋器‑基座成间隔开的关系保持。该喷淋头在背侧沉积期间提供清扫气体。

主权项:1.一种等离子体处理系统,包括,室;和一个或多个处理站,其中每个处理站包括对应的:设置于所述室内的喷淋头;设置在所述室中的喷淋器-基座;和衬底支撑件,其被配置为在所述处理站的所述喷淋头和所述处理站的喷淋-器基座之间的位置处支撑载送环,其中,对于每个处理站:所述处理站的所述喷淋头具有面向所述处理站的喷淋器-基座的下表面,所述处理站的所述喷淋器-基座具有面向所述处理站的喷淋头的顶表面,所述处理站的喷淋头具有分布在其下表面上的多个喷淋头喷嘴,并且所述处理站的喷淋器-基座具有多个喷淋器-基座喷嘴,这些喷淋器-基座喷嘴以第一孔图案布置在其顶表面的内部区域中并分布在其顶表面上,并且具有围绕该喷淋器-基座的所述内部区域的第二孔图案,其中,对于该处理站的所述喷淋器-基座:所述第一孔图案中的所述喷淋器-基座喷嘴沿垂直于所述喷淋器-基座的所述顶表面的方向延伸,并且所述第二孔图案中的所述喷淋器-基座喷嘴沿相对于所述喷淋器-基座的所述顶表面在远离所述喷淋器-基座的中心的方向上的非垂直角延伸。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 朗姆研究公司 用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统

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