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申请/专利权人：合肥大恒智慧能源科技有限公司

摘要：本发明公开了一种PECVD法制备N型SE‑TOPCon电池背面结构的制备方法，包括以下步骤：进舟：将经过清洗制绒，前硼扩散制PN、SE，后硼氧化，碱抛后的硅片插入石墨舟里，并送至PECVD沉积炉内；升温：关闭PECVD沉积炉炉门，通过加热温控将炉内温度升至设定温度；抽空：对PECVD沉积炉内进行抽空处理，并同时打开炉管底部与顶部的辅热；测漏：检测气体泄漏情况；预通气‑恒压：进行预通气保持PECVD沉积炉内恒压；隧穿层沉积：在沉积不同膜层前进行预通沉积该层相同的气体恒压，本发明通过将辅热开启设定在抽真空步，该设置改善了硅片加热过程与石墨舟的贴合度，以及低沉积速率沉积厚度较薄的隧穿层改善石墨舟与硅片接触的卡点位置的氧化层厚度及均匀性，改善产品的EL良率。

主权项：1.一种PECVD法制备N型SE-TOPCon电池背面结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：进舟：将经过清洗制绒，前硼扩散制PN、SE，后硼氧化，碱抛后的硅片插入石墨舟里，并送至PECVD沉积炉内；S2：升温：关闭PECVD沉积炉炉门，通过加热温控将炉内温度升至设定温度；S3：抽空：对PECVD沉积炉内进行抽空处理，并同时打开炉管底部与顶部的辅热；S4：测漏：检测气体泄漏情况；S5：预通气-恒压：进行预通气保持PECVD沉积炉内恒压；S6：隧穿层沉积：在沉积不同膜层前进行预通沉积该层相同的气体恒压，之后进行抽空；S7：预通气-恒压：再次进行预通气保持PECVD沉积炉内恒压；S8：掺磷非晶硅沉积，完成后进行抽空处理和预通气恒压处理，掺磷非晶硅沉积具体步骤为：共分为三步沉积，第一步参数为沉积时间为100-200s，硅烷流量为2400-3300sccm，氢气流量为9200-9900sccm，磷烷流量为250-600sccm，射频功率为9000-13000W；第二步参数为沉积时间为50-200s，硅烷流量为2200-3000sccm，氢气流量为8300-9000sccm，磷烷流量为350-550sccm，射频功率为11000-15000W；第三步参数为沉积时间为350-550s，硅烷流量为2000-3000sccm，氢气流量为8300-9000sccm，磷烷流量为350-550sccm，射频功率为12000-15000W；S9：制备掩膜；S10：抽空吹扫，回压后将石墨舟从沉积炉里取出，完成制备。

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