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申请/专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
摘要：本发明提供了一种全光学调控电导的神经形态忆阻器及其制备方法，自下而上包括：衬底；第一电极层；N型半导体层；P型感光层，P型感光层与N型半导体层形成PN结；第二电极层。P型感光层的禁带宽度与N型半导体层的禁带宽度的差值小于设定阈值；P型感光层的材料为NiO；P型感光层的厚度为200nm。N型半导体层的材料为TiO2；N型半导体层的厚度为20nm。第二电极层的材料为ITO；第一电极层的材料为Pt。本发明通过P型感光层与N型半导体层构建形成的PN结结构的器件，可实现完全由光学信号调制实现可逆电导升高降低的全光学调控忆阻器。该器件还可实现包括配对脉冲促进、兴奋性突触后电流和长期增强抑制等神经突触形态学特征与功能。
主权项：1.一种全光学调控电导的神经形态忆阻器，其特征在于，自下而上包括：衬底；第一电极层；N型半导体层；P型感光层，所述P型感光层与所述N型半导体层形成PN结；第二电极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 上海集成电路制造创新中心有限公司 一种全光学调控电导的神经形态忆阻器及其制备方法
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